Memoria electrónica mil veces mís veloz y capaz de guardar datos durante cien mil años

Ritesh Agarwal, Se-Ho Lee y Yeonwoong Jung han desarrollado un nanocable autoensamblable de teluro de antimonio y germanio, un material con cambio de fase que alterna entre estructuras amorfas y cristalinas, la clave para leer y escribir memorias de ordenadores. La fabricación de los nanodispositivos, de apenas 100 ítomos de diímetro, fue realizada sin la litografí­a convencional, proceso de fabricación un tanto burdo que utiliza productos quí­micos fuertes y que produce con frecuencia materiales inutilizables, con limitaciones de espacio, tamaño y eficiencia.

En lugar de la litografí­a convencional, los investigadores usaron autoensamblaje, un proceso en el cual los reactantes quí­micos se cristalizan a bajas temperaturas mediante la acción de nanocatalizadores metílicos, para formar espontíneamente nanocables de 30-50 nanómetros de diímetro y 10 micrómetros de longitud, y fabricaron entonces dispositivos de memoria en substratos de silicio.

Los resultados de las pruebas han mostrado un consumo extremadamente menor de energí­a para la codificación de datos (0,7 mW por bit). También han demostrado que la escritura, borrado y recuperación de datos (50 nanosegundos) es mil veces mís rípida que en las memorias Flash convencionales. E incluso apuntan a que el dispositivo no perderí información después de unos 100.000 años de uso, todo ello con el potencial de materializar dispositivos de memoria no volítil con densidades del orden de los terabits.

Esta nueva forma de memoria representa una posible revolución en la manera en que accedemos a la información y la almacenamos.

La memoria de cambio de fase, en general, se caracteriza por una lectura/escritura mís rípida, mejor durabilidad y construcción mís sencilla en comparación con otras tecnologí­as de memoria tales como la Flash. El desafí­o ha sido reducir el tamaño de los materiales de cambio de fase a través de técnicas litogríficas convencionales sin dañar sus propiedades útiles. Los nanocables de cambio de fase, como los creados por los investigadores de la Universidad de Pensilvania, brindan una nueva estrategia útil para lograr memorias ideales que proporcionen un control de los datos almacenados eficiente y duradero, varios órdenes de magnitud por encima de las tecnologí­as actuales